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3d chiplet
3d chiplet 文章 進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區
美國宣布撥款16億美元，激勵先進(jìn)封裝研發(fā)
- 當地時(shí)間周二，美國商務(wù)部發(fā)表官方聲明，宣布將撥款高達16億美元用于加速?lài)鴥劝雽w先進(jìn)封裝的研發(fā)。此舉是美國政府2023年公布的國家先進(jìn)封裝制造計劃NAPMP的一部分。聲明中稱(chēng)，該筆資金來(lái)源于2022年《芯片與科學(xué)法案》520億美元授權資金的一部分，重點(diǎn)支持企業(yè)在芯片封裝新技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng )新。美國政府計劃通過(guò)獎勵金的形式向先進(jìn)封裝領(lǐng)域的創(chuàng )新項目提供每份不超過(guò)1.5億美元的激勵。且項目需與以下五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)：1、設備、工具、工藝、流程集成；2、電力輸送和熱管理；3、連接器技術(shù)，包括光子學(xué)和射頻；
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曾號稱(chēng)碾壓英偉達！壁仞科技：?jiǎn)蝹€(gè)國產(chǎn)AI芯片不強但數量多、軟件加持就不一樣了
- 7月10日消息，近日，壁仞科技副總裁兼AI軟件首席架構師丁云帆在談及計算瓶頸時(shí)表示，解決算力瓶頸問(wèn)題需要從三個(gè)維度考慮：硬件集群算力、軟件有效算力、異構聚合算力。他認為，做好這三個(gè)維度的工作，即使國產(chǎn)AI芯片單個(gè)算力不強，也能通過(guò)綜合手段提升算力，滿(mǎn)足國內大模型訓練的需求?！拔覀?020年設計的第一代產(chǎn)品里就做了chiplet架構，國外巨頭在今年發(fā)布的產(chǎn)品如英偉達B100和英特爾Gaudi 3也采用了同樣的思路，他們用最先進(jìn)的制程，但也需要chiplet來(lái)突破摩爾定律限制來(lái)提升單卡算力?！倍≡品f(shuō)道。據他
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鎧俠公布藍圖：2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊
- 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展，并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件，持續布局3D IC市場(chǎng)
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具，能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí)，我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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3D NAND，1000層競爭加速！
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
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大算力芯片，正在擁抱Chiplet
- 在和業(yè)內人士交流時(shí)，有人曾表示：「要么業(yè)界采用 Chiplet 技術(shù)，維持摩爾定律的影響繼續前進(jìn)，要么就面臨商業(yè)市場(chǎng)的損失?！闺S著(zhù)摩爾定律走到極限，Chiplet 被行業(yè)普遍認為是未來(lái) 5 年算力的主要提升技術(shù)。戰場(chǎng)已拉開(kāi)，紛爭開(kāi)始了Chiplet 不算是新的技術(shù)，但是這股浪潮確實(shí)是近年來(lái)開(kāi)始火熱的。什么是 Chiplet？Chiplet 俗稱(chēng)芯粒，也叫小芯片，它是將一類(lèi)滿(mǎn)足特定功能的 die（裸片），通過(guò) die-to-die 內部互聯(lián)技術(shù)實(shí)現多個(gè)模塊芯片與底層基礎芯片封裝在一起，形成一個(gè)系統芯片，以實(shí)
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3d chiplet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d chiplet的理解，并與今后在此搜索3d chiplet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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